TSM6502CR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6502CR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 60V 24A/18A 8DFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 5.4A, 10V, 68mOhm @ 4A, 10V
기본 품번TSM6502
구성N and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.3nC @ 4.5V, 9.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1159pF @ 30V, 930pF @ 30V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C24A (Tc), 18A (Tc)
Power - Max40W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-PDFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)