TSM600P03CS

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM600P03CS

데이터시트

아날로그 및 전원

30V, -4.7A, SINGLE P-CHANNEL PO

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs60mOhm @ 3A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds560 pF @ 15 V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Tc)
최대 전력 손실2.1W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOP

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)