TSM5055DCR

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM5055DCR

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 107A 8DFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.7mOhm @ 10A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V
기본 품번TSM5055
구성2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.3nC @ 10V, 49nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds555pF @ 15V, 2550pF @ 15V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 38A (Tc), 20A (Ta), 107A (Tc)
Power - Max2.2W (Ta), 30W (Tc), 2.4W (Ta), 69W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-PDFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)