TSM2N7000KCT A3G

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2N7000KCT A3G

아날로그 및 전원

MOSFET N-CHANNEL 60V 300MA TO92

단종TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 100mA, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60 pF @ 25 V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Through Hole
Product StatusDiscontinued at
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA (Ta)
최대 전력 손실400mW (Ta)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
공급사 디바이스 패키지TO-92

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)