TSM2537CQ RFG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2537CQ RFG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N/P-CH 20V 11.6A/9A 6TDFN

생산 중6-VDFN Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55mOhm @ 5A, 4.5V
기본 품번TSM2537
구성N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate, 1.8V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.1nC @ 4.5V, 9.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds677pF @ 10V, 744pF @ 10V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11.6A (Tc), 9A (Tc)
Power - Max6.25W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VDFN Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지6-TDFN (2x2)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)