TSM250NB06DCR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250NB06DCR RLG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 7A/30A 8DFN

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7A, 10V
기본 품번TSM250
구성2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1461pF @ 30V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta), 30A (Tc)
Power - Max2W (Ta), 48W (Tc)

기계적 특성

Package / Case8-PowerTDFN
공급사 디바이스 패키지8-PDFN (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)