TQM150NB04CR RLG

Taiwan Semiconductor Corporation

TQM150NB04CR RLG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 10A/41A PDFN56U

생산 중8-PowerTDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1044 pF @ 20 V
제조사Taiwan Semiconductor Corporation
실장 방식Surface Mount, Wettable Flank
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.8V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta), 41A (Tc)
최대 전력 손실3.1W (Ta), 56W (Tc)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101