TP44100SG

Name: TP44100SG
Brand: Tagore Technology

아날로그 및 전원

GAN FET HEMT 650V .118OHM 22QFN

생산 중22-PowerVFQFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	118mOhm @ 500mA, 6V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	110 pF @ 400 V
제조사	Tagore Technology
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 11mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	19A (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)