STU16N65M2

STMicroelectronics

STU16N65M2

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 11A IPAK

생산 중TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds718 pF @ 100 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈MDmesh™ M2
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Tc)
최대 전력 손실110W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급사 디바이스 패키지TO-251 (IPAK)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)