STSJ100NHS3LL

STMicroelectronics

STSJ100NHS3LL

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 100A 8SOIC

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.2mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4200 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈STripFET™ III
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
최대 전력 손실3W (Ta), 70W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
공급사 디바이스 패키지8-SOIC-EP

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)