STS8DN6LF6AG

STMicroelectronics

STS8DN6LF6AG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8SO

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 4A, 10V
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1340pF @ 25V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈STripFET™ F6
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)
Power - Max3.2W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SO

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101