STS3P6F6

Name: STS3P6F6
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 60V 3A 8SOIC

구형8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	160mOhm @ 1.5A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	340 pF @ 48 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
시리즈	DeepGATE™, STripFET™ VI
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3A (Tj)
최대 전력 손실	2.7W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)