STS10P3LLH6

STMicroelectronics

STS10P3LLH6

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET P-CH 30V 10A 8SO

생산 중8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs12mOhm @ 5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3350 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈STripFET™ H6
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
최대 전력 손실2.7W (Ta)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)