STS10DN3LH5

STMicroelectronics

STS10DN3LH5

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SOIC

단종8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5A, 10V
기본 품번STS10
구성2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.6nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds475pF @ 25V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusNot For New Designs
시리즈STripFET™ V
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max2.5W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급사 디바이스 패키지8-SOIC

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)