STQ2LN60K3-AP

STMicroelectronics

STQ2LN60K3-AP

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3

생산 중TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds235 pF @ 50 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈SuperMESH3™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

전기적 특성

드레인-소스 전압600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C600mA (Tc)
최대 전력 손실2.5W (Tc)

기계적 특성

패키지Cut Tape (CT) Tape & Box (TB)
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
공급사 디바이스 패키지TO-92-3

환경 조건

동작 온도150°C (TJ)