STPSC10065G2-TR

STMicroelectronics

STPSC10065G2-TR

데이터시트

아날로그 및 전원

DIODE SIL CARBIDE 650V 10A D2PAK

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Capacitance @ Vr, F670pF @ 0V, 1MHz
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)0 ns
시리즈ECOPACK®2
기술SiC (Silicon Carbide) Schottky

전기적 특성

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1.45 V @ 10 A
Current - Average Rectified (Io)10A
Current - Reverse Leakage @ Vr130 µA @ 650 V
속도No Recovery Time > 500mA (Io)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지D2PAK

환경 조건

Operating Temperature - Junction-40°C ~ 175°C