STP11NM80

Name: STP11NM80
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 11A TO220AB

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	400mOhm @ 5.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1630 pF @ 25 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	MDmesh™
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

드레인-소스 전압	800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	11A (Tc)
최대 전력 손실	150W (Tc)

동작 온도	-65°C ~ 150°C (TJ)