STP10N60M2

Name: STP10N60M2
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220

생산 중TO-220-3아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	600mOhm @ 3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400 pF @ 100 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
시리즈	MDmesh™ II Plus
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	7.5A (Tc)
최대 전력 손실	85W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)