STLD200N4F6AG

STMicroelectronics

STLD200N4F6AG

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT

생산 중8-PowerWDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5mOhm @ 75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10700 pF @ 10 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈STripFET™ F6
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
최대 전력 손실158W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101