STL8N10F7

STMicroelectronics

STL8N10F7

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 100V POWERFLAT

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 50 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈DeepGATE™, STripFET™ VII
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C35A (Tc)
최대 전력 손실3.5W (Ta), 50W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PowerFlat™ (3.3x3.3)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)