STL13DP10F6

STMicroelectronics

STL13DP10F6

아날로그 및 전원

MOSFET 2P-CH 100V 13A POWERFLAT

구형8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.7A, 10V
기본 품번STL13
구성2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds864pF @ 25V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈DeepGATE™, STripFET™ VI
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A
Power - Max62.5W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PowerFlat™ (5x6)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)