STI360N4F6

STMicroelectronics

STI360N4F6

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK

구형TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 60A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs340 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds17930 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusObsolete
시리즈Automotive, AEC-Q101, DeepGATE™, STripFET™ VI
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C120A (Tc)
최대 전력 손실300W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
공급사 디바이스 패키지I2PAK (TO-262)

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)