STF10N65K3

STMicroelectronics

STF10N65K3

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP

생산 중TO-220-3 Full Pack아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈SuperMESH3™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
최대 전력 손실35W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
공급사 디바이스 패키지TO-220FP

환경 조건

동작 온도-55°C~150°C(TJ)