STE53NC50

STMicroelectronics

STE53NC50

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 500V 53A ISOTOP

생산 중ISOTOP아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs434 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11200 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Chassis Mount
Product StatusActive
시리즈PowerMESH™ II
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C53A (Tc)
최대 전력 손실460W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseISOTOP
공급사 디바이스 패키지ISOTOP®

환경 조건

동작 온도150°C(TJ)