STD3NK80Z-1

STMicroelectronics

STD3NK80Z-1

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK

생산 중TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5Ohm @ 1.25A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds485 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
시리즈SuperMESH™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 50µA

전기적 특성

드레인-소스 전압800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A (Tc)
최대 전력 손실70W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급사 디바이스 패키지TO-251 (IPAK)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)