STD3N65M6

Name: STD3N65M6
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 650V DPAK

생산 중TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5Ohm @ 1.75A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	150 pF @ 100 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
시리즈	MDmesh™ M6
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.75V @ 250µA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.5A (Tc)
최대 전력 손실	45W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 150°C (TJ)