STD19N3LLH6AG

STMicroelectronics

STD19N3LLH6AG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 30V 10A DPAK

구형TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs33mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds321 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈STripFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
최대 전력 손실30W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101