STD14NM50NAG

STMicroelectronics

STD14NM50NAG

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 500V 12A DPAK

생산 중TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs320mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds816 pF @ 50 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태생산 중
시리즈MDmesh™ II
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Tc)
최대 전력 손실90W

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101