STB85NS04Z

STMicroelectronics

STB85NS04Z

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 33V 80A D2PAK

구형TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2500 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusObsolete
시리즈SAFeFET™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±18V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압33 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C80A (Tc)
최대 전력 손실215W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지D2PAK

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)