STB60NF06LT4

STMicroelectronics

STB60NF06LT4

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 60V 60A D2PAK

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs14mOhm @ 30A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs66 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 25 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈STripFET™ II
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±15V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
최대 전력 손실110W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지D2PAK

환경 조건

동작 온도-65°C ~ 175°C (TJ)