STB34NM60N

Name: STB34NM60N
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK

생산 중TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	105mOhm @ 14.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2722 pF @ 100 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
포장	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
제품 상태	생산 중
시리즈	MDmesh™ II
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	29A (Tc)
최대 전력 손실	250W (Tc)

Package / Case	TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지	TO-263 (D2PAK)

동작 온도	150°C (TJ)