STB30N65DM6AG

STMicroelectronics

STB30N65DM6AG

데이터시트

아날로그 및 전원

AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs115mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2000 pF @ 100 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈MDmesh™ DM2
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id4.75V @ 250µA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C28A (Tc)
최대 전력 손실223W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101