STB28NM60ND

Name: STB28NM60ND
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 600V 23A D2PAK

단종TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	150mOhm @ 11.5A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	62.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2090 pF @ 100 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
시리즈	FDmesh™ II
기술	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250µA

드레인-소스 전압	600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	23A (Tc)
최대 전력 손실	190W (Tc)

동작 온도	150°C (TJ)