STB25N80K5

STMicroelectronics

STB25N80K5

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET N-CH 800V 19.5A D2PAK

생산 중TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs260mOhm @ 19.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1600 pF @ 100 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
시리즈SuperMESH5™
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100µA

전기적 특성

드레인-소스 전압800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C19.5A (Tc)
최대 전력 손실250W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급사 디바이스 패키지D²PAK (TO-263)

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 150°C (TJ)