SCTWA90N65G2V-4

STMicroelectronics

SCTWA90N65G2V-4

데이터시트

아날로그 및 전원

TRANS SJT N-CH 650V 119A HIP247

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 50A, 18V
기본 품번SCTWA90
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3380 pF @ 400 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C119A (Tc)
최대 전력 손실565W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지HiP247™ Long Leads

환경 조건

동작 온도-55°C~200°C(TJ)