SCTW60N120G2

STMicroelectronics

SCTW60N120G2

아날로그 및 전원

DISCRETE

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs52mOhm @ 30A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs94 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1969 pF @ 800 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+18V, -5V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C60A (Tc)
최대 전력 손실389W (Tc)

기계적 특성

패키지Bulk
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지HiP247™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 200°C (TJ)