SCTL90N65G2V

Name: SCTL90N65G2V
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 650

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	24mOhm @ 40A, 18V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	157 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3380 pF @ 400 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 1mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
최대 전력 손실	935W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)