SCTL35N65G2V

STMicroelectronics

SCTL35N65G2V

데이터시트

아날로그 및 전원

TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV

생산 중8-PowerVDFN아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs67mOhm @ 20A, 20V
기본 품번SCTL35
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370 pF @ 400 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C40A (Tc)
최대 전력 손실417W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
공급사 디바이스 패키지PowerFlat™ (8x8) HV

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)