SCTH40N120G2V-7

Name: SCTH40N120G2V-7
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

생산 중Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 18V
기본 품번	SCTH40
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1233 pF @ 800 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 1mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	36A (Tc)
최대 전력 손실	238W (Tc)

패키지	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
공급사 디바이스 패키지	H2PAK-7

동작 온도	-55°C ~ 175°C (TJ)