SCTH35N65G2V-7

Name: SCTH35N65G2V-7
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

생산 중TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	67mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	73 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1370 pF @ 400 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.2V @ 1mA

드레인-소스 전압	650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	18V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	45A (Tc)
최대 전력 손실	208W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)