SCT10N120H

Name: SCT10N120H
Brand: STMicroelectronics

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

구형TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	690mOhm @ 6A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	290 pF @ 400 V
제조사	STMicroelectronics
실장 방식	Surface Mount
Product Status	Obsolete
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 250µA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12A (Tc)
최대 전력 손실	150W (Tc)

동작 온도	-55°C ~ 200°C (TJ)