SCT1000N170

STMicroelectronics

SCT1000N170

데이터시트

아날로그 및 전원

HIP247 IN LINE

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.3Ohm @ 3A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.3 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds133 pF @ 1000 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Tc)
최대 전력 손실96W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지HiP247™

환경 조건

동작 온도-55°C ~ 200°C (TJ)