SCT055HU65G3AG

STMicroelectronics

SCT055HU65G3AG

데이터시트

아날로그 및 전원

AUTOMOTIVE-GRADE SILICON CARBIDE

생산 중아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs72mOhm @ 15A, 18V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds721 pF @ 400 V
제조사STMicroelectronics
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4.2V @ 1mA

전기적 특성

드레인-소스 전압650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)15V, 18V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C30A (Tc)
최대 전력 손실185W (Tc)

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

환경 조건

GradeAutomotive
동작 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101