일반
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| 제조사 | Solid State Inc. |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±40V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4mOhm @ 1A, 10V |
|---|---|
| FET Type | N-Channel |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50 pF @ 25 V |
| 제조사 | Solid State Inc. |
| 실장 방식 | Through Hole |
| Product Status | Active |
| 기술 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±40V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 1mA |
| 드레인-소스 전압 | 90 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 900mA (Tc) |
| 최대 전력 손실 | 6.25W (Tc) |
| 패키지 | Box |
|---|---|
| Package / Case | TO-205AD, TO-39-3 Metal Can |
| 공급사 디바이스 패키지 | TO-39 |
| 동작 온도 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|