S2M0080120D

SMC Diode Solutions

S2M0080120D

데이터시트

아날로그 및 전원

MOSFET SILICON CARBIDE SIC 1200V

생산 중TO-247-3아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs100mOhm @ 20A, 20V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs54 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1324 pF @ 1000 V
제조사SMC Diode Solutions
실장 방식Through Hole
Product StatusActive
기술SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Vgs (Max)+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 10mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C41A (Tc)
최대 전력 손실231W (Tc)

기계적 특성

패키지Tube
Package / CaseTO-247-3
공급사 디바이스 패키지TO-247AD

환경 조건

동작 온도-55°C~175°C(TJ)