GP2T080A120H

Name: GP2T080A120H
Brand: SemiQ

아날로그 및 전원

SIC MOSFET 1200V 80M TO-247-4L

생산 중TO-247-4아날로그 및 전원

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	100mOhm @ 20A, 20V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	61 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1377 pF @ 1000 V
제조사	SemiQ
실장 방식	Through Hole
Product Status	Active
기술	SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)	+25V, -10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 10mA

드레인-소스 전압	1200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
최대 전력 손실	188W (Tc)

동작 온도	-55°C~175°C(TJ)