K6F2016U4D-FF70T00

Samsung Semiconductor, Inc

K6F2016U4D-FF70T00

메모리 및 스토리지

SRAM ASYNC SLOW 2MB 128Kx16 3.3V

구형메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
기술SRAM - Asynchronous
제조사Samsung Semiconductor, Inc.
실장 방식Surface Mount
포장Tape & Reel (TR)
제품 상태구형
쓰기 사이클 시간70ns

전기적 특성

메모리 용량2Mbit
메모리 형식SRAM
Memory InterfaceParallel
공급 전압2.7V ~ 3.6V
Memory Organization128K x 16

기계적 특성

공급사 디바이스 패키지48-FBGA (6x7)

환경 조건

동작 온도-40°C ~ 85°C (TA)