일반
| 메모리 유형 | Volatile |
|---|---|
| 제조사 | Samsung Semiconductor, Inc. |
| 실장 방식 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
제품 속성
가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.
전기적 특성
| 메모리 용량 | 8Gbit |
|---|---|
| 메모리 형식 | DRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| 클록 주파수 | 1866 MHz |
| 공급 전압 | 1.1V |
| Memory Organization | 256M x 32 |
기계적 특성
| 패키지 | Tray |
|---|---|
| Package / Case | 200-TFBGA |
환경 조건
| 동작 온도 | -25°C ~ 85°C |
|---|