K4B4G1646E-BYK000

Samsung Semiconductor, Inc

K4B4G1646E-BYK000

메모리 및 스토리지

DDR3-1600 4GB (256MX16)1.25NS CL

생산 중96-TFBGA메모리 및 스토리지

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

메모리 유형Volatile
제조사Samsung Semiconductor, Inc.
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive

전기적 특성

메모리 용량4Gbit
메모리 형식DRAM
Memory InterfaceParallel
클록 주파수800 MHz
공급 전압1.35V
Memory Organization256M x 16

기계적 특성

패키지Tray
Package / Case96-TFBGA

환경 조건

동작 온도0°C ~ 95°C