SCT3105KW7TL

Rohm Semiconductor

SCT3105KW7TL

데이터시트

아날로그 및 전원

SICFET N-CH 1200V 23A TO263-7

생산 중TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA아날로그 및 전원

제품 속성

가져온 제품 속성에서 정리한 전기적, 기계적, 환경 파라미터입니다.

일반

Rds On (Max) @ Id, Vgs137mOhm @ 7.6A, 18V
기본 품번SCT3105
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds574 pF @ 800 V
제조사Rohm Semiconductor
실장 방식Surface Mount
Product StatusActive
기술SiCFET (Silicon Carbide)
Vgs (Max)+22V, -4V
Vgs(th) (Max) @ Id5.6V @ 3.81mA

전기적 특성

드레인-소스 전압1200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
최대 전력 손실125W

기계적 특성

패키지Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
공급사 디바이스 패키지TO-263-7

환경 조건

동작 온도175°C (TJ)